歐姆龍成功事例 | WEE邊緣曝光設備的應用案例:通過軌跡控制技術,實現晶圓的高精度去邊
設備概況
WEE設備是涂膠顯影設備中的一部分,因為在涂膠工藝之后,晶圓邊緣會殘留球狀物,會影響光刻工藝,所以需要將晶圓邊緣的球狀物去除,WEE設備就是利用激光曝光方式進行去邊的一種設備。設備主要分為兩部分,測量工位和去邊工位。晶圓隨機上料到旋轉平臺,在測量工位進行測量,找到晶圓中心后通過橫移機構,至去邊工位進行曝光去邊。

課題
1. 對于測量工位,如何找準平邊晶圓圓心、缺口晶圓圓心以及去邊起始角度?
2. 對于去邊工位,如何控制旋轉和橫移軸實現去邊?
解決方案
通過測量工位得到晶圓中心坐標、平邊/缺口晶圓起始點坐標、平邊晶圓的平邊兩端點坐標等關鍵信息,結合Pro_WEE去邊軌跡生成_V1 FB自動生產旋轉和橫移軸的曝光需要的電子凸輪運動軌跡曲線,實現精準的去邊控制。

系統配置

實現價值
1. 實現6寸-8寸Notch晶圓和平邊晶圓的高精度去邊。
2. 圓邊去邊精度:0.06 mm
3. 平邊去邊精度:0.2 mm
4. 起始角度精度:±0.1°以內
5. 流程所需時間:30 秒以內
【經營層】
協同推進核心設備自主化技術攻關,支持客戶構建差異化制造能力。
【業務層】
推進生產品質精益管理,優化去邊工藝精度控制與節拍穩定性,服務高標準制造需求。
【現場層】
探索開發周期優化路徑,推進關鍵技術課題攻關,服務研發效能提升目標。
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