工業固態硬盤:天碩存儲詳解閃存干擾與磨損優化技術
天碩(TOPSSD) G40系列工業級固態硬盤采用自研主控及全鏈路國產化替代方案,可在 -40℃~85℃ 寬溫范圍內穩定運行;遵循國家軍用標準進行設計驗證,更能勝任嚴苛環境下的長時任務。系列產品長期服務軍用嵌入式計算機、指揮控制系統、雷達、電子對抗、軌道交通與高端工業自動化等關鍵應用,是艦載、機載、裝甲車輛等裝備的優選核心部件。
閃存的可靠性會隨著存儲密度越來越高,逐級下降。并且由于其物理特性,所有的閃存都會遇到一些共性問題。本文將對這些問題做簡要闡述,并說明現在的SSD廠商的主要解決方案。
1. 磨損
一個閃存塊的磨損程度可以用“擦寫次數”來衡量。閃存不像內存那樣幾乎可以無限次使用,每擦除、寫入一次,保存在里面的數據就會變得不那么可靠。當錯誤多到連控制器自帶的糾錯功能都修不過來時,這個閃存塊就會被標記為壞塊,無法再使用。隨著擦寫次數增加,閃存的原始比特錯誤率(RBER)會逐漸升高。
閃存廠家通常會在規格書里標一個擦寫次數,比如某款3D TLC閃存標稱3000次。但這個數字其實是在某一種糾錯能力的假設下給出的。如果SSD控制器使用的糾錯算法更強,閃存壽命就可以超過3000次;反之,控制器糾錯能力更弱,壽命就會縮水。所以,閃存的實際壽命不是固定值,它和使用時的糾錯能力緊密相關。

此外,閃存壽命也和“數據保持時間”有關系。廠家標稱的3000次,基于默認你寫進去的數據需要保留一定時間(比如一年)。如果你對數據保存時間要求不高,只是臨時存一下,那么閃存能承受的擦寫次數可能遠遠超過標稱值。所以標稱次數只能作為參考,實際能寫多少次,完全取決于你的使用場景。

正因為閃存塊會被寫“壞”,SSD的固件里都會有一套“磨損均衡”算法,它的任務就是讓所有塊輪流承擔寫入任務,而不是總逮著幾個塊拼命寫。否則,那幾塊很快就壞掉,整塊SSD也會提早報廢。
2. 讀干擾
在讀某個閃存頁時,為了能讓其他位置上的晶體管正常導通,需要給它們加一個較高的電壓,這會讓這些晶體管被順帶輕輕“編程”一下。隨著讀取次數越來越多,未被讀取的頁面會受到微弱的電場誘導,導致電荷狀態發生改變。簡單說,讀干擾是“讀這個頁,卻影響到了別的頁”。
從內部看,讀干擾會讓受影響存儲單元的電壓整體向右偏移。這就導致原來能正確區分數據狀態的參考電壓變得不準了,比如原來能分清“01”和“00”,現在再用同樣的電壓去讀,有一部分“01”就會被誤認成“00”,數據就會讀錯。

需要強調的是,讀干擾本身并不會直接損耗閃存的壽命,它只會威脅到當前存儲數據的可靠性。但為了解決讀干擾問題,SSD固件會執行“刷新”操作,把受影響的數據搬走重寫。但這會產生額外的寫入,也就是寫放大,從而間接縮短閃存壽命。
3. 寫干擾與抑制編程干擾
寫干擾指的是,在一條字線上執行編程操作時,會“誤傷”到這條字線上那些本不需要寫入的存儲單元。
閃存編程需要高達15V~20V的高壓。對于同一條字線上需要編程的單元,其位線電壓為0V,高電壓差形成強電場,電子順利注入;但對于同字線上不需要編程的單元,它們同樣會暴露在這個高壓下,面臨被意外注入電子的風險。
為了解決這個問題,SSD采用了編程抑制(Program Inhibit)技術。具體做法是:先對不需要編程的單元的溝道預充一個正電壓,然后關閉位線選擇管,使溝道處于浮空狀態。當字線上高壓到來時,浮空溝道通過電容耦合自動升高電壓(接近字線電壓),從而大幅減小溝道與字線之間的電壓差,有效抑制意外電子注入。

然而,編程抑制技術本身也會引入新的可靠性問題:抑制編程干擾。因為被抑制的單元溝道電壓較高(如8~10V),而相鄰的、需要編程的單元溝道電壓為0V,兩者之間會產生很強的橫向電場。這個電場可能激發高能熱電子(Hot Electron),注入到某些本該保持數據的單元中,導致:
● 已寫入的頁發生位翻轉(“0”變“1”或“1”變“0”),或
● 尚未寫入的頁偏離干凈的擦除狀態。
可以看到,寫干擾與抑制編程干擾是同一編程高壓下的兩個對立面。前者源于字線-溝道壓差過大(意外FN隧穿),后者源于相鄰溝道間的橫向電場(熱電子注入)。優化抑制電壓以減輕其中一種,往往會加重另一種,因此工程上必須聯合權衡。

總之,無論是磨損、讀干擾還是寫干擾,最終都可能表現為數據出錯。此時,糾錯引擎就是最后一道防線,閃存能用多久、多可靠,極度依賴它的強大程度。天碩自研的增強型LDPC ECC,每4KB可糾正高達700比特的錯誤。正是這樣的硬實力,才讓高密度的閃存在復雜工況下依然值得信賴。
關于天碩(TOPSSD)
湖南天碩創新科技有限公司(TOPSSD)成立于2016年,是國家認定的高新技術企業,長期專注于高可靠、高性能存儲技術的自主創新。公司立足國家戰略需求,面向航空、航天、國防和高端工業等關鍵領域,提供完全自主可控的核心存儲解決方案,切實保障國家關鍵信息基礎設施的數據安全與運行穩定,為實現高水平科技自立自強提供堅實支撐。
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