設備概況

RTP快速退火爐作為芯片制造環節中的重要工藝之一。RTP利用紅外燈管熱輻射加熱技術，在幾秒時間內（20~130℃/秒）實現晶圓的快速升溫退火和尖峰退火工藝；通過退火處理，可以使材料得到修復，結晶體內部重新排列，去除缺陷和雜質，恢復晶格完整，提高電導率。

課題

1. 如何實現多路高速同步升溫控制，且超調小于10℃和震蕩小于10秒？

2. 如何實現TC-WAAFER多點測溫溫度均一性小于10℃？

解決方案

通過多物理場建模仿真，創新權重系數分配算法，最終實現了150℃/S的高速同步升溫且無超調和溫度均一性小于10℃的最優控制效果。

系統配置

在傳統PID控制的基礎上，創新權重分配算法，實現高速同步升溫控制。

實現價值

【經營層】

■ 賦能客戶完成RTP退火爐自主研發，助力高端熱工裝備進階。

【業務層】

■ 協同客戶完成溫控技術升級，推動能效與精度突破。

【現場層】

■ 實現多路高速同步升溫控制，且超調小于10℃和震蕩小于10秒，TC-WAAFER多點測溫溫度均一性小于10℃。

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